微流控芯片的分(fēn)離物檢測方法介紹
更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2021-04-29 點擊次數：1161
微流控芯片的微結構制作(zuò)及鍵合封接完成後，需對微結構的形狀、尺寸和表面粗糙度進行檢測。目前常用的儀器(qì)有：表面輪廓儀和可标定的光學顯微鏡，可以給出微結構的表面輪廓和截面形狀，并由此推算(suàn)出微結構的深度和寬度尺寸;掃描電子(zǐ)顯微鏡(SEM)可以給出微結構的立體(tǐ)形貌和截面形狀，并可推算(suàn)出尺寸參數;使用原子(zǐ)力顯微鏡(AFM)，可對微結構的表面粗糙度進行觀測。
微流控芯片的分(fēn)離物檢測方法
分(fēn)離物的高靈敏度檢測對于微流控芯片有着重要意義。目前，微流控芯片的檢測方法大體(tǐ)上(shàng)可以分(fēn)為(wèi)3類：光學檢測、電化(huà)學檢測及質譜學檢測。
紫外吸收檢測法是一(yī)種常規光學檢測法，相應的檢測器(qì)已經趨于成熟，但(dàn)由于芯片的通道小、靈敏度不高，因此該方法已經不能(néng)夠滿足對低(dī)濃度和極微量樣品分(fēn)析的要求。激光誘導熒光檢測是所有熒光檢測中靈敏度*高的一(yī)種方法。多數情況下(xià)其檢測下(xià)限可達10E-10—10E-12mol/L，所以該方法得到了(le)廣泛的應用。
電化(huà)學檢測有安培法、電導法和電位法3種基本模式，其中安培法是應用普遍的一(yī)種方法。其基本原理(lǐ)是：測量化(huà)合物在電極表面受到氧化(huà)或還原反應時(shí)，會失去或得到電子(zǐ)，産生(shēng)與分(fēn)析物濃度成正比的電極電流，通過測量微通道中的電流即可得到溶液濃度的變化(huà)情況。電化(huà)學檢測的靈敏度可以與熒光檢測相媲美，同時(shí)，因為(wèi)微電極可以加工到芯片上(shàng)，因此更适合于微芯片的檢測。
質譜檢測的原理(lǐ)是根據分(fēn)子(zǐ)質荷比的不同而達到檢測的目的。其優點是能(néng)夠提供分(fēn)子(zǐ)空間(jiān)結構信息，因此在生(shēng)物大分(fēn)子(zǐ)(如(rú)蛋白質)的結構研究方面具有獨到之處。但(dàn)因為(wèi)質譜檢測系統本身(shēn)比芯片還要大，所以也(yě)很難實現(xiàn)整個(gè)系統的微型化(huà)。單一(yī)的檢測方法将很難完成全部檢測任務(wù)，因此應對多種檢測方法的聯合使用及新(xīn)的檢測方法進行研究。
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