紫外光刻機可廣泛用于MEMS和光電子(zǐ)，例如(rú)LED生(shēng)産。它方便處理(lǐ)各種非标準基片、例如(rú)混合、高頻元件和易碎的III-V族材料，包括砷化(huà)镓和磷化(huà)铟。而且該設備可通過選配升級套件，實現(xiàn)紫外納米壓印光刻。它具有以下(xià)亮點：高分(fēn)辨率掩模對準光刻，特征尺寸優于0.5微米、裝配SUSS的單視(shì)場(chǎng)顯微鏡或分(fēn)視(shì)場(chǎng)顯微鏡，實現(xiàn)快(kuài)速準确對準、針對厚膠工藝進行優化(huà)的高分(fēn)辨光學系統、可選配通用光學器(qì)件，在不同波長間(jiān)進行快(kuài)速切換等。
随着電子(zǐ)業的飛速發展,對作(zuò)為(wèi)電子(zǐ)元器(qì)件基礎的印制闆的需求量及其加工精度的要求越來(lái)越高。紫外線光刻機是印制闆制造工藝中的重要設備。傳統光刻機的玻璃-邁拉曬架在生(shēng)産過程中需要人(rén)工趕氣,邁拉膜需要經常更換。由于冷卻系統過于臃腫,使得其生(shēng)産成本高、效率低(dī),已不能(néng)滿足PC B 生(shēng)産的需要。在實驗基礎上(shàng)設計了(le)雙玻璃曬架光刻機，改進了(le)其主要組成部分(fēn),包括曬架系統、光路(lù)系統、冷卻系統以及電氣和控制系統的整體(tǐ)設計。
在計算(suàn)機的控制下(xià)，利用聚焦電子(zǐ)束對有機聚合物（通常稱為(wèi)電子(zǐ)抗蝕劑或光刻膠）進行曝光，受電子(zǐ)束輻照後的光刻膠，其物理(lǐ)化(huà)學性質發生(shēng)變化(huà)，在一(yī)定的溶劑中形成良溶或非良溶區域，從而在抗蝕劑上(shàng)形成精細圖形。
對光源系統的要求
a.有适當的波長。波長越短，可曝光的特征尺寸就(jiù)越小；[波長越短，就(jiù)表示光刻的刀鋒越鋒利，刻蝕對于精度控制要求越高，因為(wèi)衍射現(xiàn)象會更嚴重。
b.有足夠的能(néng)量。能(néng)量越大，曝光時(shí)間(jiān)就(jiù)越短；
c.曝光能(néng)量必須均勻地分(fēn)布在曝光區。[一(yī)般采用光的均勻度 或者叫 不均勻度 光的平行度等概念來(lái)衡量光是否均勻分(fēn)布]
常用的紫外光光源是高壓弧光燈（高壓汞燈），高壓汞燈有許多尖銳的光譜線，經過濾光後使用其中的g 線（436 nm）或i 線（365 nm）。
對于波長更短的深紫外光光源，可以使用準分(fēn)子(zǐ)激光。例如(rú)KrF 準分(fēn)子(zǐ)激光（248 nm）、ArF 準分(fēn)子(zǐ)激光（193 nm）和F2準分(fēn)子(zǐ)激光（157 nm）等。
曝光系統的功能(néng)主要有：平滑衍射效應、實現(xiàn)均勻照明、濾光和冷光處理(lǐ)、實現(xiàn)強光照明和光強調節等。
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