紫外光刻機的高性價比令人(rén)印象深刻
更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2021-09-26 點擊次數：756
光刻是一(yī)種使用曝光将設計的掩模圖案轉移到基闆上(shàng)的工藝。
紫外光刻機是專為(wèi)實驗室研發和小批量生(shēng)産而設計的高分(fēn)辨率光刻系統。光刻機提供良好(hǎo)(hǎo)的基闆适應性，可夾持标準尺寸基闆的最大直徑為(wèi)150mm。該設備提供多種曝光方式，包括真空、軟接觸、硬接觸、最近鄰等，可實現(xiàn)鍵合對準、納米壓紋、微接觸密封等多種功能(néng)。
雙面對位的整體(tǐ)設計技術采用CCD圖像底部對位技術和單曝光頭正面曝光實現(xiàn)。采用新(xīn)型高精度、多自由度光罩樣品精密對準工作(zuò)台結構設計，光罩樣品對準過程直觀，雕刻對準速度快(kuài)，精度高。掩膜闆和樣品的放(fàng)置采用推拉式參考闆和真空吸附，操作(zuò)方便。該裝置可用于用紫外光照射正膠或負膠，通過顯影可對樣品進行精細圖案化(huà)。
紫外光刻機廣泛應用于半導體(tǐ)、微電子(zǐ)、生(shēng)物器(qì)件和納米技術。而且，該系列光刻機已被多家企業、研發中心、科研院所、高校(xiào)采用作(zuò)為(wèi)其光刻系統的基礎；其過硬的技術、技術和良好(hǎo)(hǎo)的服務(wù)赢得了(le)廣大用戶的青睐。
作(zuò)為(wèi)光刻系統，重要的UV曝光機技術在于以下(xià)兩個(gè)方面：掩模晶圓對準和将掩模上(shàng)的圖案複制到晶圓上(shàng)，為(wèi)下(xià)一(yī)步或離子(zǐ)注入工藝做準備。紫外光刻機系統的曝光方式采用壓力可調的接觸式曝光，有效減少光刻膠對掩膜的污染和掩膜的磨損，從而提高掩膜的使用壽命。因此，曝光機/光刻系統以其高性價比令人(rén)印象深刻。
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