紫外光刻機強力助攻微納器(qì)件制備
更新(xīn)時(shí)間(jiān)：2022-06-08 點擊次數：897
紫外光刻機新(xīn)一(yī)代紫外光源：172nm，具有同類産品良好(hǎo)(hǎo)的輸出強度，3%的可用孔徑，弧光燈使用壽命更長。暴露高達30000次，瞬間(jiān)啓動，無需超淨室，内置淨化(huà)系統可使系統在大氣環境中工作(zuò)，無需主動冷卻和外部冷卻，無有毒氣體(tǐ)和汞等物質。高光能(néng)轉換率（EVU僅為(wèi)0.02%），節能(néng)；傳統的UV處理(lǐ)會存在以上(shàng)問題。光刻操作(zuò)可以在幾分(fēn)鍾内完成，維護簡單，幾乎不需要培訓。
1、微米級高分(fēn)辨率投影光刻。
2、實現(xiàn)無遮罩任意圖案書寫，所見即所得，即時(shí)。
3、200mm行程拼接，100nm拼接精度。
4、視(shì)覺引導光斑，支持雕刻。
5、全自動操作(zuò)，圖形縮放(fàng)、旋轉、定位、掃描、拼接均由軟件完成。
紫外光刻機紫外投影光刻技術将特定形狀的光斑投射到塗在器(qì)件表面的光刻膠上(shàng)。光刻膠的照射區域會産生(shēng)化(huà)學變化(huà)。曝光顯影後，可形成微米級精密圖案；通過進一(yī)步的蝕刻或蒸發，可以在樣品表面形成所需的結構。UV投影光刻作(zuò)為(wèi)材料、器(qì)件、微結構和微器(qì)件的常用制備技術，廣泛應用于微納米結構制備、半導體(tǐ)器(qì)件電極制備、太赫茲/毫米波器(qì)件制備、光學掩模制備、PCB制造等應用。
傳統的UV投影光刻機需要先制作(zuò)掩模版，耗材成本高，制備周期長，難以滿足材料和器(qì)件實驗室對靈活性和實驗進度的要求。近年來(lái)開發的紫外光刻機技術突破了(le)這(zhè)一(yī)技術限制，實現(xiàn)了(le)任意形狀編程和全自動高精度大面積拼接的無掩模光刻，随時(shí)将您的設計轉化(huà)為(wèi)實際的成品，大大減少了(le)開發和測試周期，強有力的助攻微納器(qì)件制備的“臨門一(yī)腳”。
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